一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710781880.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107658214B | 公开（公告）日 | 2019-05-07 |
| 申请公布号 | CN107658214B | 申请公布日 | 2019-05-07 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉; 王旭辉; 曾翔君; 李留成 | 申请（专利权）人 | 东莞清芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人 | 西安交通大学;东莞清芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 710048 陕西省西安市咸宁路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。 |
