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一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法

基本信息

申请号 CN201710781879.1 申请日 -
公开（公告）号 CN107731893B 公开（公告）日 2020-02-11
申请公布号 CN107731893B 申请公布日 2020-02-11
分类号 H01L29/06;H01L29/24;H01L29/739;H01L21/331 分类 基本电气元件;
发明人 张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成 申请（专利权）人 东莞清芯半导体科技有限公司
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 代理人 西安交通大学;东莞清芯半导体科技有限公司
地址 710048 陕西省西安市咸宁路28号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。