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一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法

基本信息

申请号 CN201710781884.2 申请日 -
公开（公告）号 CN107623043B 公开（公告）日 2019-06-14
申请公布号 CN107623043B 申请公布日 2019-06-14
分类号 H01L29/788（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/10（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉; 王旭辉; 曾翔君; 李留成 申请（专利权）人 东莞清芯半导体科技有限公司
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 代理人 西安交通大学;东莞清芯半导体科技有限公司
地址 710048 陕西省西安市咸宁路28号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。