一种用于存储器芯片封装的键合丝及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202111296849.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113725188A | 公开(公告)日 | 2021-11-30 |
申请公布号 | CN113725188A | 申请公布日 | 2021-11-30 |
分类号 | H01L23/49(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I;C25D7/06(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;C25D5/50(2006.01)I;C25D5/34(2006.01)I;B21C1/02(2006.01)I;B23P15/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 陈童心;周晓光;向翠华;张虎;林成斌 | 申请(专利权)人 | 北京达博有色金属焊料有限责任公司 |
代理机构 | 中国有色金属工业专利中心 | 代理人 | 范威 |
地址 | 100012北京市朝阳区北苑路40号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种用于存储器芯片封装的键合丝及其制备方法,所述键合丝结构包括铜芯,所述铜芯外表面自下而上依次电镀有钯层、金层;所述键合丝成分按重量百分比计包括:97.17‑98.95%铜、0.65‑1.73%钯、0.35‑1.05%金、19.4‑39.6ppm的铂,余量为不可避免杂质;其中,铜芯成分按重量百分比计包括:铜99.99%、钯5‑15ppm、金10‑30ppm、铂20‑40ppm,余量为不可避免杂质。所述方法包括:配料、熔铸、粗拉、中间退火、微拉、表面处理、电镀金、钯、退火。本发明提供的键合丝具有电热性能良好、耐蚀性好、可靠性高、封装作业性好、焊点结合性好等优点。本发明的方法能够有效缩短生产周期,提高生产效率。 |
