肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN200720100117.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201126822Y | 公开（公告）日 | 2008-10-01 |
| 申请公布号 | CN201126822Y | 申请公布日 | 2008-10-01 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 韩建军 | 申请（专利权）人 | 天津市立正科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 天津才智专利商标代理有限公司 | 代理人 | 天津市立正科技发展有限公司 |
| 地址 | 300111天津市南开区长江道红日南路54号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种肖特基二极管，包括硅衬底、硅外延层、二氧化硅、P+保护环、金属硅化物、扩散阻挡层和金属电极层；硅衬底上生长有硅外延层，外延层上沉积有二氧化硅，硅衬底和硅外延层为N型半导体硅材料，在硅外延层中具有P型导电性的保护环，P+区与外延层形成一单边突变PN结，与肖特基结并联，金属硅化物在二氧化硅的窗口内，在二氧化硅的窗口上依次覆盖扩散阻挡层和金属电极层。有益效果是：由于采用了P+保护环、新的金属硅化物肖特基势垒形成工艺和综合管芯设计及工艺参数循环优化，实现了低噪声、低功耗、超高频等器件技术指标，具有优良的正向和反向特性，提高了肖特基二极管的性能。 |
