高效制备高纯气相沉积硅的装置
基本信息
| 申请号 | CN201721290329.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207313146U | 公开（公告）日 | 2018-05-04 |
| 申请公布号 | CN207313146U | 申请公布日 | 2018-05-04 |
| 分类号 | C01B33/021 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 刘应宽;罗学涛;温卫东;甘传海;杨麒;窦鹏 | 申请（专利权）人 | 宁夏东梦能源股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏合天律师事务所 | 代理人 | 杨丽坤;孙彦虎 |
| 地址 | 750002 宁夏回族自治区银川市金凤区亲水南街2号亲水商务中心302 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高效制备高纯气相沉积硅的装置，电子束熔炼系统将硅融化，高温高真空使得液态硅变成饱和蒸汽硅，之后通过水冷收集装置，驱动气相硅快速沉积并形核，同时充足的过冷抑制晶粒长大，从而得到纳米晶粒，得到纳米级晶粒的高纯气相沉积硅；熔炼室是一个密封空间结构，收集室是一个密封空间结构，封闭舱门设置在熔炼室侧壁上，收集室在封闭舱门的一侧，封闭舱门打开后熔炼室和收集室连通，固定在收集室内的驱动装置与冷却板相匹配，封闭舱门打开状态时，驱动装置驱动冷却板转移至熔炼室或者收集室，设置在收集室的刮板装置与冷却板相匹配，冷却板移动至收集室时，刮除冷却板上沉积的硅。刮除的硅落入收集坩埚。 |
