一种浮栅型NOR闪存的制作方法、电路以及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201911093928.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110783340B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN110783340B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L27/11521;H01L21/266;H01L21/265 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任军;徐培;吕向东;李政达 | 申请（专利权）人 | 恒烁半导体（合肥）股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈蒙 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市庐阳区天水路与太和路交口西北庐阳中科大校友企业创新园11号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种浮栅型NOR闪存的制作方法、电路以及其应用，所述方法包括高压PMOS管离子注入、零阈值电压管离子注入、存储单元离子注入和低压PMOS管离子注入，在零阈值电压管离子注入步骤中仅有离子注入的过程，同时对高压的P管，低压的P管以及存储单元阵列区域的离子注入的剂量进行了限定，本发明在保证了电路相关电学特性的前提下，缩减了工艺步骤、节约晶圆的制作成本、提高了制备效率，具有切实意义上的实用价值。 |
