集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010502011.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101982881B | 公开（公告）日 | 2012-12-12 |
| 申请公布号 | CN101982881B | 申请公布日 | 2012-12-12 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钱梦亮;陈俊标;李泽宏 | 申请（专利权）人 | 无锡矽能微电子有限公司 |
| 代理机构 | 宜兴市天宇知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏东光微电子股份有限公司;江苏东晨电子科技有限公司;无锡矽能微电子有限公司 |
| 地址 | 214204 江苏省宜兴市新街百合工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是对集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT改进，其特征是ESD保护单元的多晶二极管组中各P型区浓度与功率MOSFET或IGBT的P阱浓度相同，各N型区浓度与功率MOSFET或IGBT的N+源相同；多晶二极管组在栅极压焊区与元胞区间半环绕栅极压焊区设置，如果为栅插指结构，将半环绕的多晶二极管组中间由栅极插指结构隔开，形成不连通的左右L型，其中多晶二极管的各P型区和各N型区，分别由功率MOSFET或IGBT的P阱和N+源注入和扩散形成。所得ESD保护的功率MOSFET或IGBT，栅极与源极间漏电小，制备时栅、源极间击穿电压可调，ESD泄放能力高、可靠性好，制造简单。 |
