一种氮化硅光纤结构件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110423393.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113135760B | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN113135760B | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | C04B35/584（2006.01）I;C04B35/64（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 张伟儒;魏文钊;孙峰;徐金梦;董廷霞;徐学敏;杨厚萌;李泽坤;郭杨;丁智杰;李洪浩;吕沛远 | 申请（专利权）人 | 中材高新氮化物陶瓷有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 马丛 |
| 地址 | 255000山东省淄博市高新区开发区北路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅光纤结构件的制备方法。本发明提供了一种氮化硅光纤结构件的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛和烧结助剂进行预混合，加入乙醇和氮化硅后进行球磨，得到料浆；将所述料浆依次进行喷雾造粒、压制和烧结，得到所述氮化硅光纤结构件；所述氮化硅光纤结构件为圆环状，单边厚度<4mm，直径>250mm；所述烧结助剂包括氧化铝和氧化钇。利用所述制备方法制备得到的氮化硅光纤结构件不易变性、不易开裂，且所述制备方法的成品率高，可以实现批量稳定化的生产。 |
