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一种集成SOA的EML芯片

基本信息

申请号	CN201811063243.4	申请日	-
公开（公告）号	CN108879321A	公开（公告）日	2018-11-23
申请公布号	CN108879321A	申请公布日	2018-11-23
分类号	H01S5/06;H01S5/12;H01S5/40	分类	基本电气元件;
发明人	胡艺枫;郑睿	申请（专利权）人	成都微泰光芯技术有限公司
代理机构	成都行之专利代理事务所（普通合伙）	代理人	成都微泰光芯技术有限公司
地址	610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区公兴街道华府大道四段999号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种集成SOA的EML芯片，所述EML芯片包括：衬底、反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA；反馈激光器DFB、电吸收调制器EAM、光放大器SOA集成在衬底上，反馈激光器DFB和电吸收调制器EAM之间通过第一波导连接，用于实现EML激光器的脉冲输出，输出带有振幅调制的光脉冲；光放大器SOA和电吸收调制器EAM之间通过第二波导连接，光放大器SOA将电吸收调制器EAM输出的带有振幅调制的光脉冲放大后输出；将传统工艺中的耦合损耗减小到最小，由于使用集成方案，不需要额外的光路耦合设计，降低了器件的工艺难度；SOA的放大作用进一步提高芯片的光输出功率，使之能够满足大分束比的PON网络的应用环境。