半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202080001568.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111902945B | 公开（公告）日 | 2022-05-20 |
| 申请公布号 | CN111902945B | 申请公布日 | 2022-05-20 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄敬源;李启珍 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 519085广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体层、设置于所述半导体层上的第一经掺杂氮化物半导体层、设置于所述第一经掺杂氮化物半导体层上的第二经掺杂氮化物半导体层。所述半导体装置还包括位于所述半导体层及所述第一经掺杂氮化物半导体层之间的未经掺杂氮化物半导体层。所述未经掺杂氮化物半导体层具有与所述半导体层接触之第一表面及与所述第一经掺杂氮化物半导体层接触之第二表面。 |
