p-GaN基增强型HEMT器件
基本信息
| 申请号 | CN201810220253.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108511522B | 公开（公告）日 | 2022-04-26 |
| 申请公布号 | CN108511522B | 申请公布日 | 2022-04-26 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/267（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金峻渊;魏进 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 代理机构 | 华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 万志香 |
| 地址 | 519000广东省珠海市唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层617房B单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种p‑GaN基增强型HEMT器件，包括：衬底；在所述衬底上的过渡层；在所述过渡层上的沟道层；在所述沟道层上的势垒层；在所述势垒层上的p‑GaN层；以及，在所述势垒层和所述p‑GaN层上的源极、漏极、栅极和介质层；所述势垒层包括势垒层A和势垒层B，所述势垒层A与所述势垒层B交替层叠；所述势垒层A的禁带宽度大于所述势垒层B的禁带宽度。在势垒层较厚的情况下，获得了较大正值的阈值电压，提高了HEMT器件的工作效率。 |
