电子装置
基本信息
| 申请号 | CN202111372675.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113937071A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN113937071A | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张安邦 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 519085广东省珠海市高新区金园二路39号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、表面状态补偿层以及低k介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。表面状态补偿层直接安置在第二氮化物半导体层上，并与表面状态补偿层接触。低k介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中低k介电层的厚度大于表面状态补偿层的厚度。 |
