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具有隔离结构的集成式芯片

基本信息

申请号	CN202120980267.7	申请日	-
公开（公告）号	CN215815878U	公开（公告）日	2022-02-11
申请公布号	CN215815878U	申请公布日	2022-02-11
分类号	H01L27/092（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	赵起越;石瑜	申请（专利权）人	英诺赛科（珠海）科技有限公司
代理机构	珠海智专专利商标代理有限公司	代理人	薛飞飞
地址	519000广东省珠海市高新区金园二路39号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种具有隔离结构的集成式芯片，集成式芯片包括沿纵向布置的衬底和外延结构。外延结构包括层间电介质（I LD）层，隔离区将集成式芯片分成沿横向布置的第一半导体器件区和第二半导体器件区。衬底包括N型区和P型区，N型区与P型区之间形成两个PN结，两个PN结分别位于第一半导体器件区和第二半导体器件区。外延结构内开设有纵向延伸的三个穿玻通孔。第一穿玻通孔内设有隔离介质，第一穿玻通孔在纵向上穿过I LD层并向下延伸至衬底的底层内。第一源极通过第一电气互连件与衬底的外延层电连接，第二漏极和第一源极短接。第二源极通过第二电气互连件与衬底的外延层电连接。集成式芯片可实现两个半导体器件区衬底的有效隔离。