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电子装置

基本信息

申请号 CN202111365337.9 申请日 -
公开（公告）号 CN114023819A 公开（公告）日 2022-02-08
申请公布号 CN114023819A 申请公布日 2022-02-08
分类号 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张安邦 申请（专利权）人 英诺赛科（珠海）科技有限公司
代理机构 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 519085广东省珠海市高新区金园二路39号
法律状态 -

摘要

摘要 电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。