采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法
基本信息
| 申请号 | CN201010604262.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102020277B | 公开（公告）日 | 2012-05-16 |
| 申请公布号 | CN102020277B | 申请公布日 | 2012-05-16 |
| 分类号 | C01B33/035(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 钟真武;江宏富 | 申请（专利权）人 | 中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司;江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新技术产业开发区昆仑山路68号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法，所述方法包括使含硅气体和氢气在表面温度为1000-1150℃的具有表面微结构的硅芯上沉积并制备多晶硅，该方法与现有采用直径8mm硅芯的制造方法相比，具有初始沉积表面积大、初始沉积速率快、降低还原电耗等优点，另外，该方法所述初具有表面微结构的硅芯可在现有反应器中直接应用，而无需改造设备，可节约大量设备改造费。 |
