一种高纯度三甲基锑的制备方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202110797051.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113563383A | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN113563383A | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | C07F9/90（2006.01）I | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 任大平 | 申请（专利权）人 | 苏州源展材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏张林 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区12栋4楼401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高纯度三甲基锑的制备方法及其应用，其制备方法包括以下步骤：（1）在惰性气氛下，将三甲基铝滴加至卤化锑中，滴加结束后，继续反应；（2）反应结束后，通过减压蒸馏分离粗产品和副产物；（3）将粗产品通过常压精馏得到6N三甲基锑。本发明通过置换反应法制备了一种高纯度三甲基锑，反应操作简单，原料成本低廉，且收率可达80％以上，克服了传统制备方法存在的副产物多、产品残留等技术缺陷。此外，通过上述方法制备得到的三甲基锑的纯度高达6N，可用于MOCVD以制备半导体光电材料。 |
