一种含有ESD保护结构的VDMOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202120066830.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213878104U | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN213878104U | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/467（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王新强;王丕龙;秦鹏海;张永利;刘文 | 申请（专利权）人 | 深圳佳恩功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘丹 |
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区西乡街道固兴社区骏翔U8智造产业园U6.7栋216 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种含有ESD保护结构的VDMOS器件，属于VDMOS器件技术领域。该含有ESD保护结构的VDMOS器件包括基础组件和散热组件。所述基础组件包括VDMOS器件本体、ESD器件本体和引脚，所述ESD器件本体和所述引脚均设在所述VDMOS器件本体上，所述ESD器件本体和所述引脚均与所述VDMOS器件本体电性连接在一起，所述散热组件包括导热外壳、隔热外壳、气管、防护外壳、进气连接头和排气连接头，使用时，吸收热量后的气体通过排气连接头被排出，吸收热量后的气体再通过制冷设备被排出，该VDMOS器件的散热性能好，大大的提高了VDMOS器件本体和ESD器件本体的使用寿命。 |
