一种降低VDMOS开关时间的器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202120077275.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213878105U | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN213878105U | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/427（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王丕龙;张永利;王新强;秦鹏海;刘文 | 申请（专利权）人 | 深圳佳恩功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘丹 |
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区西乡街道固兴社区骏翔U8智造产业园U6.7栋216 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种降低VDMOS开关时间的器件结构，属于VDMOS器件技术领域。该降低VDMOS开关时间的器件结构包括本体机构和壳体机构。所述壳体机构包括外壳、缓冲组件和散热组件，所述散热组件包括散热片、热管、铜片、导热垫和插杆，所述散热片连接于所述外壳一侧，所述热管两端与所述散热片和所述铜片连接，所述导热垫两侧与所述铜片和所述本体机构一侧贴合，所述缓冲组件两端与所述铜片和所述外壳内壁连接。本实用新型通过导热垫、铜片、热管、散热片、弹簧和插杆的作用，从而达到了具有散热功能的目的，散热结构可对VDMOS管进行被动散热，使VDMOS管处于适温状态，便于延长VDMOS管的使用寿命。 |
