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一种多层外延超结结构VDMOS的结构

基本信息

申请号	CN202120066156.5	申请日	-
公开（公告）号	CN213878103U	公开（公告）日	2021-08-03
申请公布号	CN213878103U	申请公布日	2021-08-03
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张永利;刘文;秦鹏海;王新强;王丕龙	申请（专利权）人	深圳佳恩功率半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	刘丹
地址	518000广东省深圳市宝安区西乡街道固兴社区骏翔U8智造产业园U6.7栋216
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种多层外延超结结构VDMOS的结构，包括漏极，漏极的上方设置有衬底，衬底的上方设置有n型漂移区，n型漂移区的内部设置有p型块，p型块的上方设置有p型阱，p型阱的内部设有n+型源区和p+型短路区，在n型漂移区设置垂直于条形多晶层方向的横向p型块，将主要承压层p型块区域与p型阱的延伸方向垂直，使p型块长度不再成为限制单胞大小的因素，单胞大小完全由多晶层与多晶层间隔长度决定，n型漂移区与p型块在承受源极至漏极反向电压时，因电荷平衡原理，相互耗尽，形成空间电荷区承担其反向电压，由此可降低n型漂移区和衬底的电阻率，较低的n型漂移区和衬底的电阻率在其导通状态时，具有更小的导通电阻，降低了导通损耗。