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一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法

基本信息

申请号	CN202110033982.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112614895A	公开（公告）日	2021-04-06
申请公布号	CN112614895A	申请公布日	2021-04-06
分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张永利;刘文;秦鹏海;王新强;王丕龙	申请（专利权）人	深圳佳恩功率半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	刘丹
地址	518000广东省深圳市宝安区西乡街道固兴社区骏翔U8智造产业园U6.7栋216
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法，包括漏极，所述漏极的上方设置有衬底，所述衬底的上方设置有n型漂移区，所述n型漂移区的内部设置有p型块，所述p型块的上方设置有p型阱，所述p型阱的内部设置有n+型源区和p+型短路区，所述p型阱的顶部设置有栅极氧化层，通过在n型漂移区设置垂直于条形多晶层方向的横向p型块，将主要承压层p型块区域与p型阱的延伸方向垂直，使p型块长度不再成为限制单胞大小的因素，单胞大小完全由多晶层与多晶层间隔长度决定，同时将原流程第一次刻蚀、第二次刻蚀、第三次刻蚀后的推进工艺步骤整合为第三次刻蚀后，原制作工艺流程的三次推进整合为一次推进，大大节省了工艺时间与成本。