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一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构

基本信息

申请号	CN202120094572.6	申请日	-
公开（公告）号	CN214204926U	公开（公告）日	2021-09-14
申请公布号	CN214204926U	申请公布日	2021-09-14
分类号	H02H7/20;H02H9/04;H01L29/78;H01L23/62	分类	发电、变电或配电;
发明人	王新强;王丕龙;秦鹏海;张永利;刘文	申请（专利权）人	深圳佳恩功率半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	刘丹
地址	广东省深圳市宝安区西乡街道固兴社区骏翔U8智造产业园U6.7栋216
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，属于VDMOS技术领域。该提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构包括基础组件和防护组件。所述基础组件包括VDMOS器件本体、引脚和浪涌电压抑制器，所述浪涌电压抑制器与所述VDMOS器件本体电性连接。所述防护组件包括外壳、顶盖、锁紧件、隔板、限位板和扭簧。使用时，将浪涌电压抑制器由外壳顶部开口放入，浪涌电压抑制器两侧底部分别与两侧的限位板接触并带动限位板转动，将浪涌电压抑制器完全按入外壳内腔后，两个限位板在扭簧的作用下从两侧将浪涌电压抑制器底部夹紧，再通过锁紧件将顶盖固定到外壳上将开口封闭即完成组装。本实用新型结构稳定性强，浪涌电压抑制器易于拆装，提高了检修效率。