一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200910131816.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101509122B | 公开（公告）日 | 2012-01-25 |
| 申请公布号 | CN101509122B | 申请公布日 | 2012-01-25 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/40(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 孙四通;于庆先 | 申请（专利权）人 | 青岛高校山柏科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人 | 青岛科技大学;青岛高校山柏科技有限公司 |
| 地址 | 266034 山东省青岛市四方区郑州路53号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法，该方法包括一波导及调谐装置、一石英微波窗口、一氢气进气口、一等离子室、2个弧形Cu靶电极、一冷却水系统、一视窗、一基座及加热装置、一真空系统、一微波系统、一镀膜室、一成膜衬底、一载气进气口和一碘蒸气进气口。本方法以微波辐照产生氩的等离子体，轰击铜靶；以纯铜作靶，碘蒸汽为碘源，以微波辐照产生等离子体；微波辐照使铜、碘在到达基片之前一直处于等离子状态；将微波辐照与离子轰击结合在一起，保证成膜是以离子的形式进行。 |
