首页/ 上海迈铸半导体科技有限公司/ 专利详情

一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构

基本信息

申请号 CN202010640448.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111952708B 公开（公告）日 2021-07-02
申请公布号 CN111952708B 申请公布日 2021-07-02
分类号 H01P11/00;H01P3/06 分类 基本电气元件;
发明人 顾杰斌;张伟博;夏伟锋 申请（专利权）人 上海迈铸半导体科技有限公司
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 代理人 贺姿;胡晶
地址 201821 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路912号J3408室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种微同轴结构的制备方法，包括如下步骤：先设置分别贯穿第一基片和第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体；然后于第一基片和第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；接着上通槽和下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且上腔体和下腔体形成内腔体结构，在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层；再将第一基片和第二基片进行腐蚀去除操作，形成微同轴结构。本发明将通槽金属层和腔体金属层之间的基片进行腐蚀去除，从而在通槽金属层和腔体金属层之间形成内空的腔体，内外导体之间采用空气作为介质层，空气的介电常数和损耗角较小，进而可以提高微同轴结构的传输性能。