Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011551635.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112687779A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112687779A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高芳亮;杨金铭 | 申请（专利权）人 | 深圳市昂德环球科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 | 代理人 | 武志峰 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法，所述Si衬底的AlGaN薄膜结构包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一高温AlN层、生长在所述第一高温AlN层上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的第二高温AlN层、生长在所述第二高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层，其中所述第二AlGaN层的厚度比所述第一AlGaN层的厚度大。本发明在Si衬底上制备AlN缓冲层，并采用低温结合高温AlN缓冲层技术，能够有效避免降低Si和Ga之间在高温下的回熔刻蚀反应，克服现有技术的不足，获得高性能的AlGaN薄膜。 |
