AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法

基本信息

申请号	CN202010722267.7	申请日	-
公开（公告）号	CN111739989A	公开（公告）日	2020-10-02
申请公布号	CN111739989A	申请公布日	2020-10-02
分类号	H01L33/10(2010.01)I	分类	-
发明人	高芳亮;杨金铭	申请（专利权）人	深圳市昂德环球科技有限公司
代理机构	深圳市精英专利事务所	代理人	深圳市昂德环球科技有限公司
地址	518000广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611
法律状态	-

摘要

本发明公开了AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，其中，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：碳化硅衬底、沉积在所述碳化硅衬底上的Ag层、生长在所述Ag层上的AlN缓冲层、生长在所述AlN缓冲层上的AlGaN缓冲层、生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层和生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜。本发明无需采用剥离工艺，外量子效率得到大幅提升；能减少位错的形成，提高了载流子的辐射复合效率，可得到高导热、高导电、高发光性能深紫外LED；深紫外LED电流分布更加均匀，提高出光效率，同时具有良好的散热能力；制备工艺简单，具有可重复性。