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一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法

基本信息

申请号	2020113298531	申请日	-
公开（公告）号	CN112271240A	公开（公告）日	2021-01-26
申请公布号	CN112271240A	申请公布日	2021-01-26
分类号	H01L33/12(2010.01)I;	分类	基本电气元件;
发明人	高芳亮;杨金铭	申请（专利权）人	深圳市昂德环球科技有限公司
代理机构	深圳市精英专利事务所	代理人	武志峰
地址	518000广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在蓝宝石衬底上的SiN层、生长在所述SiN层上的多个GaN纳米柱、对应包裹在所述多个GaN纳米柱外层的多个AlN纳米柱壳层、对应包裹在所述多个AlN纳米柱壳层外层的多个AlGaN纳米柱壳层、生长在所述多个AlGaN纳米柱壳层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本发明采用纳米柱结构代替传统复杂的多层薄膜缓冲层结构，降低蓝宝石和AlGaN之间的晶格失配，提高了性能。