一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011548786.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112563379A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112563379A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高芳亮;杨金铭 | 申请（专利权）人 | 深圳市昂德环球科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 | 代理人 | 武志峰 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法，所述Si衬底的GaN薄膜包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的SixNy层、生长在所述SixNy层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的低温GaN层、生长在所述低温GaN层上的高温GaN层。本发明实施例在缓冲层结构中插入SixNy层，有利于缓解外延层生长过程中产生的应力，并且该层能够有效的钉扎位错，最终能够有效缓解薄膜中缺陷密度，从而实现高晶体质量GaN薄膜生长；本发明使用Si作为衬底，衬底容易获得，有利于降低生产成本。 |
