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一种SIP封装的射频装置及制备方法

基本信息

申请号	CN202011517993.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112635442A	公开（公告）日	2021-04-09
申请公布号	CN112635442A	申请公布日	2021-04-09
分类号	H01L25/07;H01L25/00;H01L23/66;H01L23/538;H01Q1/22;H05K1/18	分类	基本电气元件;
发明人	王灏;秦海棠;莫程智	申请（专利权）人	杭州耀芯科技有限公司
代理机构	北京沁优知识产权代理有限公司	代理人	田婕
地址	310000 浙江省杭州市西湖区转塘科技经济区块2号2幢1楼
法律状态	-

摘要

一种SIP封装的射频装置及制备方法，包括MID结构件，MID结构件表面有通过激光直接成型技术和金属镀膜技术制作而成的金属导线，MID结构件内置有基板，基板通过金属导线与MID结构件相连，基板上通过线路连接有IC芯片，IC芯片通过基板将信号传输至金属导线处，MID结构件通过金属导线连接有射频天线，MID结构件通过金属导线连接外部的PCBA线路板。本发明的制备方法制作了搭配有射频天线和基板的MID结构件，MID结构件通过金属导线与外部的PCBA线路板连接，射频装置可以有效的缩短无线产品的制造时间，可实现更小的尺寸，且由于在射频装置中应用了LCP等先进材料，所以可在更高的频率上实现大带宽的无线传输。