基于MIM电容及多对肖特基二极管的太赫兹三倍频器

基本信息

申请号 CN202021533937.2 申请日 -
公开(公告)号 CN212909439U 公开(公告)日 2021-04-06
申请公布号 CN212909439U 申请公布日 2021-04-06
分类号 H03B19/16(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 李烁星;胡彦胜;张萌;黄泽刚 申请(专利权)人 航天科工通信技术研究院有限责任公司
代理机构 南京钟山专利代理有限公司 代理人 徐博
地址 610052四川省成都市成华区崔家店75号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型是基于MIM电容及多对肖特基二极管的太赫兹三倍频器,由波导转悬置线探头、输入低通滤波器、非线性二极管对平衡结构、MIM电容、电感线圈、悬置线转波导探头及T型腔体等结构组成。波导转悬置线探头用于输入端信号源以及输出端输出波导转换连接,信号源通过低通滤波器滤波,输出信号源经过肖特基二极管对平衡结构中心耦合,产生具有三倍谐波的非线性波;肖特基二极管对采用多对反向并联结构,抑制偶次谐波并提高耐功率高电压性能。二极管偏置电压VDD端添加MIM电容接地及电感,分流交流信号,降低偏置电压干扰,放置倍频器腔体采用T型结构,降低悬臂梁使用,降低噪声干扰。该种三倍频器结构有稳定性好、高倍频效率、低噪声等特点。