一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路
基本信息
| 申请号 | CN202110933457.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113472298A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113472298A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H03F1/26（2006.01）I;H03F1/32（2006.01）I;H03F1/48（2006.01）I;H03F1/56（2006.01）I;H03F3/193（2006.01）I;H03F3/217（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 李烁星;张萌;胡彦胜;陈自然 | 申请（专利权）人 | 航天科工通信技术研究院有限责任公司 |
| 代理机构 | 南京钟山专利代理有限公司 | 代理人 | 张明浩 |
| 地址 | 610051四川省成都市成华区崔家店路75号1栋2单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构，其中，输入级采用二级级联共栅结构，用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；中间级采用分布式共源放大器结构，用于实现信号的宽带延展与信号放大，输出级采用功率放大器设计结构，用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能。本发明实现了在宽频带500MHz~2.5GHz频率范围内宽带高线性工作，性能良好，实现基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器，可实现后续整个系统的单片集成。 |
