一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110355178.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112736138A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112736138A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国江;于世珩;张胜凯;白宗纬 | 申请（专利权）人 | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京华讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘小吉 |
| 地址 | 210000 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种屏蔽栅‑沟槽型MOSFET的结构及其制造方法。本发明中的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET采用阶梯栅极氧化物构成栅介质层，所述阶梯栅极介质层为n阶氧化物，从沟槽下方到沟槽上方的氧化物厚度分别为D1，D2，……，Dn，其中，D1>D2>……>Dn。本发明中公开的采用阶梯栅极氧化物作为栅介质层的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET结构，可以有效地实现栅极和漏极之间的隔离，减小栅漏电容Cgd，还能使得该MOSFET具有较低的比导通电阻且保持高的击穿电压，提高MOSFET的性能。 |
