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屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备

基本信息

申请号 CN202010906159.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111834463A 公开（公告）日 2020-10-27
申请公布号 CN111834463A 申请公布日 2020-10-27
分类号 H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨国江;赖信彰;于世珩 申请（专利权）人 江苏长晶科技股份有限公司
代理机构 北京布瑞知识产权代理有限公司 代理人 江苏长晶科技有限公司
地址 211800江苏省南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦C栋13楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备，该制备方法包括：在外延半导体层上形成沟槽；在沟槽的内壁形成第一绝缘层，并在沟槽中形成第一栅极，第一绝缘层和第一栅极延伸至外延半导体层的表面，第一绝缘层用于隔开第一栅极和外延半导体层；刻蚀第一绝缘层和第一栅极，使得刻蚀后的第一绝缘层的表面与刻蚀后的第一栅极的表面共面；在刻蚀后的第一栅极和刻蚀后的第一绝缘层的表面形成层间介电层；在沟槽的上部的侧壁上形成第二绝缘层，并在沟槽的上部中形成第二栅极，其中，沟槽的上部为层间介电层远离第一栅极的表面至沟槽开口的部分。本发明的技术方案利用，能够简化工艺、提高屏蔽栅沟槽MOSFET的性能和可靠性。