一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构
基本信息
| 申请号 | CN202011087314.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111933529B | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111933529B | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国江;张胜凯;于世珩 | 申请（专利权）人 | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京华讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏长晶科技有限公司 |
| 地址 | 210000江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构。该方法中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，包括如下步骤：在沟槽侧壁、屏蔽导体上方以及外延半导体层表面，形成一层第一氧化物；在所述第一氧化物表面形成一层氮化物；在沟槽内部以及外延半导体层上氮化物的上方沉积第二氧化物；将所述外延半导体层上氮化物的上方沉积的第二氧化物去除；将沟槽上部的第二氧化物去除；将外延半导体层上方以及沟槽上部的氮化物去除；将外延半导体层表面以及沟槽上部的第一氧化物去除。采用该方法得到的栅极导体与屏蔽导体之间三层的绝缘层结构，其厚度将变得更厚且更易于控制，有助于改善寄生输入电容，进而改善器件在应用时的切换损失。 |
