一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110822237.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113284953A | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN113284953A | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国江;于世珩;张胜凯;白宗伟 | 申请（专利权）人 | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京华讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘小吉 |
| 地址 | 210000江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，包括：半导体衬底；外延半导体层，形成在所述半导体衬底之上；阱区，形成在所述外延半导体层之上；源区，形成在所述阱区内部；第一沟槽和第二沟槽，形成在所述外延半导体层、所述源区和所述阱区的内部；以及第二源极导电通道，形成在所述源区和所述阱区的内部，以及形成在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；其中所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的最短距离定义了所述第二源极导电通道的最大宽度。本发明的MOSFET结构可以实现刻蚀的自对准，解决了在两个晶胞之间的间距太小的时候，现有的光刻机台不能满足所需的分辨率的技术问题；并且简化了MOSFET的制造工艺进而节省了制造时间和成本。 |
