一种基于RAM的移位寄存器及其存储方法
基本信息
| 申请号 | CN202110528631.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113205851A | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN113205851A | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | G11C19/28 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 王作建;吴洋;贾红;陈维新;韦嶔;程显志 | 申请（专利权）人 | 西安智多晶微电子有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 尹晓雪 |
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区科技二路72号西岳阁102室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种基于RAM的移位寄存器，包括第一加法器、第二加法器、第一触发器以及双端口RAM，触发器的数据输入端口与第二加法器的输出端口相连，第一触发器的输出端口分别与第一加法器的地址输入端口、第二加法器的地址输入端口以及双端口RAM的写地址逻辑端口相连，第一加法器的输出端口与RAM的读地址逻辑端口相连，双端口RAM的输出端口D0输出数据，第一触发器的CLK端口以及双端口RAM的CLK端口输入时钟信号，第一触发器的使能端口以及双端口RAM的使能端口输入使能信号，第一加法器的地址输入端输入常量或者动态数据。相比于现有技术，本发明可以节约FPGA的逻辑资源。 |
