一种半导体功率器件封装及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811131943.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109300795B | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN109300795B | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/367 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 管先炳 | 申请（专利权）人 | 江苏矽智半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226400 江苏省南通市南通高新区金川路东、油榨路北 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体功率器件封装及其制备方法，该方法包括：在所述金属基底上设置导热硅胶层、绝缘层以及电路布线层，并嵌入一隔热型塑料框，将所述电路布线层分成第一区和第二区，在所述电路布线层的所述第一区域中装配驱动元件以及相应的第一引脚，在所述电路布线层的所述第二区域中装配功率元件以及相应的第二引脚，接着形成第一树脂密封胶层、第一导热密封胶层、第二导热密封胶层、第一隔热密封胶层以及第二隔热密封胶层。本发明的半导体功率器件封装综合性能优异、稳定性好且使用寿命长。 |
