基于快速协方差矩阵自适应进化策略的曲线型逆向光刻方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于快速协方差矩阵自适应进化策略的曲线型逆向光刻方法

基本信息

申请号	CN202110761169.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113568278B	公开（公告）日	2022-06-28
申请公布号	CN113568278B	申请公布日	2022-06-28
分类号	G03F7/20（2006.01）I	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	陈国栋;李思坤;王向朝	申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所
代理机构	上海恒慧知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	-
地址	201800上海市嘉定区清河路390号
法律状态	-

摘要

基于快速协方差矩阵自适应进化策略（Fast Covariance Matrix Adaptation EvolutionStrategy,Fast CMA‑ES）的曲线型逆向光刻（Inverse Lithography,IL）方法。所述方法采用像素表征掩模图形，每个像素代表该位置的掩模透过率。以不同曝光剂量偏差和离焦量条件下光刻胶图形与目标图形之间的图形误差的加权叠加作为评价函数，采用快速协方差矩阵自适应进化策略优化掩模图形。本方法将表征解空间分布的协方差矩阵近似为仅由两个演化路径构成的简单模型的集合，借助协方差矩阵的低秩近似来学习主要的解搜索方向和变量相关性，自适应地调整搜索步长，提高了收敛效率及寻优能力，有效提高了光刻成像质量及工艺鲁棒性。