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一种低温制备铜掺杂氧化镍薄膜的方法

基本信息

申请号 CN201510557191.6 申请日 -
公开（公告）号 CN105280821A 公开（公告）日 2016-01-27
申请公布号 CN105280821A 申请公布日 2016-01-27
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 曹蔚然;杨一行;章婷;钱磊 申请（专利权）人 苏州瑞晟新材料科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-214
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低温制备铜掺杂氧化镍薄膜的方法。该方法首先通过溶液方法制备得到掺铜的氧化镍纳米颗粒。其制备为将铜和镍的反应前驱物，硬脂酸镍和硬脂酸铜十八醇和十八烯按比例反应，并通过加入乙醇和乙酸乙酯的混合液得到沉淀并提纯。通过该方法制备得到的铜掺杂的氧化镍纳米颗粒能够均匀分散在有机溶剂中，可以通过旋涂等方法制备氧化镍薄膜。该氧化镍薄膜不仅制备方法简单，价格低廉，并其能级结构能够通过简单的改变铜的掺杂比例获得。因此，该掺杂氧化镍薄膜能够广泛使用在薄膜太阳能电池和发光二极管中作为有效的空穴传输材料以提高其性能和器件寿命。