一种高介电性能二氧化钛填料及其制备PTFE高频基板的用途
基本信息
| 申请号 | CN202110667653.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113402774A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113402774A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C08K9/00（2006.01）I;C08K9/02（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;C08K7/18（2006.01）I;C08L27/18（2006.01）I;C01G23/08（2006.01）I;H05K1/03（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 宋锡滨;张伟;王海超;禹在在;张茂林;马雁冰 | 申请（专利权）人 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京智桥联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 胡修文 |
| 地址 | 257091山东省东营市经济开发区辽河路24号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种高介电性能的微米级二氧化钛填料，以及其制备PTFE高频基板的用途。本发明所述高介电性能的微米级二氧化钛粉体填料，以纳米级二氧化钛晶粒为原料，通过对杂质元素的成分及含量的稳定及精准控制，经高温煅烧制备所需微米级二氧化钛粉体。在煅烧过程中，离子半径较大的杂质离子会进入到二氧化钛晶格中，进而形成较大程度的晶格畸变，导致正负离子的极化强度变大，从而提高所得微米级二氧化钛粉体的介电常数，同时，高温煅烧后的粉体材料，由于其内部气孔率降低，其介电损耗也较小，可获得较高介电常数、较低介电损耗的微米级二氧化钛粉体填料，可满足于PTFE高频基板性能的要求。 |
