一种抛光垫及其制备方法、应用
基本信息
| 申请号 | CN202011163365.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112338820B | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN112338820B | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | B24D3/28（2006.01）I;B24D11/00（2006.01）I;B24D11/02（2006.01）I;B24D11/04（2006.01）I;B24D18/00（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 王腾;罗乙杰;王磊;刘敏;杨浩 | 申请（专利权）人 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430057湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种抛光垫及其制备方法、应用。该抛光垫具有不同压缩比和回弹率的组合片共同形成的缓冲层及叠合在缓冲层上的抛光层；不同组合片形成中心圆心缓冲区、环绕中心缓冲区依次设置的一个或一个以上的中间环形缓冲区以及环绕中间缓冲区设置的外缘环形缓冲区。缓冲层的组合片沿抛光垫中心至外缘的方向压缩比和回弹率的不同设置，在机械抛光过程中，其磨损率基本维持一致，故能够使得所要抛光的晶片表面变得平坦，且平坦化效率较高。 |
