测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统
基本信息
申请号 | CN202110607418.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113270136B | 公开(公告)日 | 2022-04-12 |
申请公布号 | CN113270136B | 申请公布日 | 2022-04-12 |
分类号 | G11C29/44;G11C29/56;G06F3/06;G06F11/10;G11C29/42 | 分类 | 信息存储; |
发明人 | 唐畅;陈月玲;刘宇洋;谢启友 | 申请(专利权)人 | 湖南博匠信息科技有限公司 |
代理机构 | 长沙智勤知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 彭凤琴 |
地址 | 410000 湖南省长沙市岳麓区麓景路2号长沙生产力促进中心 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种测试Nand‑flash坏块的控制方法及系统,方法包括:将Nand‑flash和测试板卡通信连接;将上位机和测试板卡通信连接;控制上位机对Nand‑flash进行开卡操作;控制上位机对Nand‑flash进行读写测试;本发明提出的测试Nand‑flash坏块的控制方法,能够在Nand‑flash未焊接至实际应用产品时,即对Nand‑flash的可靠性质量指标进行测试,即直接将Nand‑flash通过安装于测试板卡,再通过上位机来进行读写测试,并基于读写测试前的测前信息,和读写测试后的测后信息来进行分析,以得到测试结果信息。 |
