测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统
基本信息
| 申请号 | CN202110607418.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113270136B | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN113270136B | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | G11C29/44;G11C29/56;G06F3/06;G06F11/10;G11C29/42 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 唐畅;陈月玲;刘宇洋;谢启友 | 申请（专利权）人 | 湖南博匠信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙智勤知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭凤琴 |
| 地址 | 410000 湖南省长沙市岳麓区麓景路2号长沙生产力促进中心 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种测试Nand‑flash坏块的控制方法及系统，方法包括：将Nand‑flash和测试板卡通信连接；将上位机和测试板卡通信连接；控制上位机对Nand‑flash进行开卡操作；控制上位机对Nand‑flash进行读写测试；本发明提出的测试Nand‑flash坏块的控制方法，能够在Nand‑flash未焊接至实际应用产品时，即对Nand‑flash的可靠性质量指标进行测试，即直接将Nand‑flash通过安装于测试板卡，再通过上位机来进行读写测试，并基于读写测试前的测前信息，和读写测试后的测后信息来进行分析，以得到测试结果信息。 |
