测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

基本信息

申请号 CN202110607418.9 申请日 -
公开(公告)号 CN113270136B 公开(公告)日 2022-04-12
申请公布号 CN113270136B 申请公布日 2022-04-12
分类号 G11C29/44;G11C29/56;G06F3/06;G06F11/10;G11C29/42 分类 信息存储;
发明人 唐畅;陈月玲;刘宇洋;谢启友 申请(专利权)人 湖南博匠信息科技有限公司
代理机构 长沙智勤知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 彭凤琴
地址 410000 湖南省长沙市岳麓区麓景路2号长沙生产力促进中心
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种测试Nand‑flash坏块的控制方法及系统,方法包括:将Nand‑flash和测试板卡通信连接;将上位机和测试板卡通信连接;控制上位机对Nand‑flash进行开卡操作;控制上位机对Nand‑flash进行读写测试;本发明提出的测试Nand‑flash坏块的控制方法,能够在Nand‑flash未焊接至实际应用产品时,即对Nand‑flash的可靠性质量指标进行测试,即直接将Nand‑flash通过安装于测试板卡,再通过上位机来进行读写测试,并基于读写测试前的测前信息,和读写测试后的测后信息来进行分析,以得到测试结果信息。