一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构
基本信息
| 申请号 | CN202110627514.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299772A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299772A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/056（2014.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱开富;王永谦;杨新强;陈刚 | 申请（专利权）人 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳盛德大业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 贾振勇 |
| 地址 | 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；交替设置在各个凹槽中的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括依次设置于凹槽上的第一电介质层和第一掺杂区域，第二导电区包括第二掺杂区域；设置于第一导电区和第二导电区之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在第一导电区和所述第二导电区上的导电层。本发明中提供的背面接触结构，解决了现有对于沟槽宽度控制要求高及钝化效果差的问题。 |
