一种等离子体辅助电子束蒸发沉积系统限流板
基本信息
| 申请号 | CN202121177408.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214572200U | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN214572200U | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | C23C14/30（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 孙启萌;刘丽娜 | 申请（专利权）人 | 山东伟航敏芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 潍坊诺诚智汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓鸣 |
| 地址 | 255086山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园10号楼一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种等离子体辅助电子束蒸发沉积系统限流板，涉及等离子体辅助电子束蒸发沉积薄膜传感器领域，包括限流板本体，所述限流板本体呈圆环形结构；所述限流板本体中心位置开设有贯通式的限流孔；所述限流板本体表面还开设有一条环形凹槽。本实用新型相比其他结构的空心阴极等离子体源，这种带有限流板的系统具有一个汇聚的磁场，使得电子在通过限流板上的孔洞后聚集起来，形成更加紧密的电子束流，增加电子同中性粒子的碰撞可能。满足等离子体源辅助电子束蒸发沉积系统对等离子体强度的要求，同时能够在更低的温度与压强环境下形成等离子体。 |
