晶体生长装置和晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202110952925.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113652751B | 公开（公告）日 | 2022-04-19 |
| 申请公布号 | CN113652751B | 申请公布日 | 2022-04-19 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 彭程;张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人 | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 刘曾 |
| 地址 | 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种晶体生长装置和晶体生长方法。晶体生长装置包括坩埚盖和坩埚体；坩埚体包括相互配合的侧壁和底壁；沿坩埚体的高度，侧壁包括多个壁体和多个连接段，壁体和连接段依次错开连接；坩埚盖、底壁和壁体均由第一石墨材质制成，连接段由第二石墨材质制成；且第一石墨材质的密度大于第二石墨材质的密度。如此能够提高坩埚内部的N2含量，以增加原料及生长器件中吸附更多的N2，加大参与晶体生长反应的N2含量，从而减小碳化硅晶片的电阻率。 |
