减薄砂轮及其组件、减薄碳化硅衬底及减薄方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202011548722.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112706085B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN112706085B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | B24D7/06（2006.01）I;B24D7/16（2006.01）I;B24B41/06（2012.01）I;B24B7/22（2006.01）I;B24B49/00（2012.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 汪良;张洁;王旻峰 | 申请（专利权）人 | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 覃蛟 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市高新开发区长沙岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种减薄砂轮及其组件、减薄碳化硅衬底及减薄方法与应用，涉及碳化硅加工技术领域。该减薄砂轮包括砂轮底座由多个减薄齿沿砂轮底座的周向依次首尾连接而成的减薄基底，减薄基底不含金刚石固体。该减薄砂轮能够避免在减薄碳化硅过程中造成深浅不一的划痕，能降低碳化硅衬底的损耗和加工成本。含上述减薄砂轮的碳化硅减薄组件能有效地对碳化硅进行减薄。采用上述组件进行减薄操作，可降低减薄后碳化硅衬底表面的划伤深度，甚至降低碳化硅衬底表面的损伤层，提高减薄后衬底表面的光洁度，此外，还能减少减薄过程中的衬底破损率，提高衬底加工的合格率。所得的减薄碳化硅衬底表面光洁，合格率高，其可进一步用于加工半导体器件。 |
