一种单晶生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202011615411.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112831840B | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 申请公布号 | CN112831840B | 申请公布日 | 2022-05-10 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨树;张洁;洪棋典;廖弘基 | 申请（专利权）人 | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 410000湖南省长沙市高新开发区长沙岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种单晶生长装置，涉及晶片生长设备技术领域。该单晶生长装置，包括坩埚、籽晶结构、加热件、导向组件和多孔石墨板；坩埚的顶壁内侧配置成安装碳化硅碎晶片；导向组件设置在坩埚内部；导向组件内部形成第一容腔，籽晶结构设置在第一容腔的底壁；导向组件的外侧壁和坩埚的内侧壁共同形成第二容腔，第二容腔用于装盛碳化硅，第二容腔具有朝向坩埚的顶壁的开口；第一容腔和第二容腔通过开口连通；加热件设置在坩埚的外侧，加热件配置成向坩埚的侧壁提供热量，还配置成向坩埚的顶壁提供热量；多孔石墨板安装在第二容腔内部，且配置成供气态碳化硅穿过。本发明提供的单晶生长装置可以减少晶体中碳包覆物的产生，提高晶体品质。 |
