一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202023340832.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215163306U | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN215163306U | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 廖弘基;张洁;陈华荣;杨树;陈泽斌;洪棋典 | 申请（专利权）人 | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 覃蛟 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市高新开发区长沙岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种坩埚盖、坩埚及晶体生长装置，涉及结晶设备技术领域。坩埚盖包括盖体，盖体具有用于与籽晶粘接的粘接面，在盖体的粘接面上固定有多孔粘接层。在盖体的粘接面上固定多孔粘接层，可以有效的改善籽晶的粘接均匀性，提高籽晶粘接的质量，抑制籽晶背面出现的升华现象，能够有效减少晶体生长过程中六方空洞和微管等缺陷的产生，提高结晶的质量。 |
