一种压阻传感器芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201010152895.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101832831B | 公开（公告）日 | 2015-01-28 |
| 申请公布号 | CN101832831B | 申请公布日 | 2015-01-28 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈绍群;王树娟;周刚;陈会林 | 申请（专利权）人 | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡市纳微电子有限公司;淮安纳微传感器有限公司 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为一种压阻传感器芯片。其生产方便、成本低，且成品率高、精确度高。其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。 |
