兼有测量压强、温度变化功能的微型硅加速度计及其加工方法
基本信息
| 申请号 | CN200810123700.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101329361B | 公开（公告）日 | 2011-06-15 |
| 申请公布号 | CN101329361B | 申请公布日 | 2011-06-15 |
| 分类号 | G01P15/12(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;G01K7/22(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈绍群 | 申请（专利权）人 | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡市纳微电子有限公司;淮安纳微传感器有限公司 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为兼有测量压强、温度功能的微型硅加速度计。其既可以测量系统的压强、环境温度的变化，还可以测量加速度，本发明还提供了加工方法。其包括单片晶向的硅单晶衬底(1)，在硅衬底(1)的两面覆盖有复合膜绝缘层(2)，硅单晶衬底(1)正面的二个悬臂梁区设置四个热扩散电阻(3)，组成惠斯顿电桥，其特征在于：与二个悬臂梁相连接的质量区是硅体质量块(4)，而在质量块(4)的正表面设置二氧化硅/PSG/多晶硅/二氧化硅/多晶硅的多层结构，其中顶部的多晶硅制作成四个纵向压阻效应的力敏电阻(5)，中间多晶硅薄膜为压力传感器的弹性膜(6)，而PSG以及多晶硅弹性膜下面的磷硅玻璃层形成一个空腔11，铝内线连接四个纵向压阻效应的力敏电阻(5)，组成测量压力变化的惠斯顿电桥；而在加速度计的边框上设置硼磷区，组成一个n-p-n三极管的EB结(7)。 |
